AOU1N60
AOU1N60
Modelo do Produto:
AOU1N60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17310 Pieces
Ficha de dados:
1.AOU1N60.pdf2.AOU1N60.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:AOU1N60
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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