APTM10DDAM19T3G
Modelo do Produto:
APTM10DDAM19T3G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14014 Pieces
Ficha de dados:
1.APTM10DDAM19T3G.pdf2.APTM10DDAM19T3G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:21 mOhm @ 35A, 10V
Power - Max:208W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP3
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTM10DDAM19T3G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:70A
Email:sales@bychips.com

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