CSD16411Q3
Modelo do Produto:
CSD16411Q3
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
18362 Pieces
Ficha de dados:
CSD16411Q3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):+16V, -12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSON (3.3x3.3)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.7W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:296-24255-2
CSD16411Q3/2801
CSD16411Q3/2801-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD16411Q3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 12.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 56A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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