Comprar DMN2011UFDE-13 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | U-DFN2020-6 (Type E) |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max): | 610mW (Ta) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | 6-UDFN Exposed Pad |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
Número de peça do fabricante: | DMN2011UFDE-13 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3372pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 84nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 20V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
Descrição: | MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11.7A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |