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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRDNB16W-7
DRDNB16W-7
DRDNB16W-7
Modelo do Produto:
DRDNB16W-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13724 Pieces
Ficha de dados:
DRDNB16W-7.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-363
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k
Power - Max:200mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:DRDNB16WDIDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:DRDNB16W-7
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Descrição:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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