FQB5N60CTM
FQB5N60CTM
Modelo do Produto:
FQB5N60CTM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14285 Pieces
Ficha de dados:
FQB5N60CTM.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.13W (Ta), 100W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQB5N60CTM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:670pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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