FQP4N80
Modelo do Produto:
FQP4N80
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18102 Pieces
Ficha de dados:
1.FQP4N80.pdf2.FQP4N80.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Dissipação de energia (Max):130W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:FQP4N80-ND
FQP4N80FS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQP4N80
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:880pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 3.9A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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