HUFA75321D3ST
HUFA75321D3ST
Modelo do Produto:
HUFA75321D3ST
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16970 Pieces
Ficha de dados:
HUFA75321D3ST.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:36 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):93W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:HUFA75321D3ST-ND
HUFA75321D3STTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:28 Weeks
Número de peça do fabricante:HUFA75321D3ST
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 20A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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