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IRF5803D2
- Modelo do Produto:
- IRF5803D2
- Descrição:
- MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 13222 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF5803D2.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | FETKY™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2W (Ta) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRF5803D2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1110pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 37nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrição expandida: | P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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