Comprar IRF6620TR1 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.45V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ MX |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.7 mOhm @ 27A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric MX |
Outros nomes: | SP001530074 |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Número de peça do fabricante: | IRF6620TR1 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4130pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 20V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
Descrição: | MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 27A (Ta), 150A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |