IRF6702M2DTR1PBF
Modelo do Produto:
IRF6702M2DTR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17483 Pieces
Ficha de dados:
IRF6702M2DTR1PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ MA
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.6 mOhm @ 15A, 10V
Power - Max:2.7W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric MA
Outros nomes:IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6702M2DTR1PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET™ MA
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15A
Email:sales@bychips.com

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