Comprar IRFB4510PBF com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 13.5 mOhm @ 37A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 140W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
Outros nomes: | SP001566724 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
Número de peça do fabricante: | IRFB4510PBF |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3180pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 100V 62A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
Descrição: | MOSFET N CH 100V 62A TO220AB |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 62A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |