Comprar IRL8113LPBF com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-262 |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6 mOhm @ 21A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 110W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Outros nomes: | *IRL8113LPBF SP001569020 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IRL8113LPBF |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
Descrição: | MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 105A (Tc) |
Email: | [email protected] |