ISL9R860S3ST
ISL9R860S3ST
Modelo do Produto:
ISL9R860S3ST
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19703 Pieces
Ficha de dados:
ISL9R860S3ST.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:2.4V @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB (D²PAK)
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Stealth™
Inversa de tempo de recuperação (trr):30ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:ISL9R860S3ST-ND
ISL9R860S3STTR
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Número de peça do fabricante:ISL9R860S3ST
Descrição expandida:Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Atual - dispersão reversa @ Vr:100µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):8A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:sales@bychips.com

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