IXFN140N20P
IXFN140N20P
Modelo do Produto:
IXFN140N20P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13123 Pieces
Ficha de dados:
IXFN140N20P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:PolarHT™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 70A, 10V
Dissipação de energia (Max):680W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN140N20P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 115A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V, 15V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:115A
Email:sales@bychips.com

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