MBR60035CTRL
MBR60035CTRL
Modelo do Produto:
MBR60035CTRL
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18472 Pieces
Ficha de dados:
MBR60035CTRL.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:600mV @ 300A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):35V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Twin Tower
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Twin Tower
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MBR60035CTRL
Descrição expandida:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 300A Chassis Mount Twin Tower
Tipo Diode:Schottky
configuração de diodo:1 Pair Common Anode
Descrição:DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
Atual - dispersão reversa @ Vr:3mA @ 35V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):300A
Email:sales@bychips.com

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