MT47R512M4EB-25E:C
Modelo do Produto:
MT47R512M4EB-25E:C
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16572 Pieces
Ficha de dados:
MT47R512M4EB-25E:C.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Fornecimento:1.55 V ~ 1.9 V
Embalagem do dispositivo fornecedor:60-FBGA (9x11.5)
Velocidade:400MHz
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:60-TFBGA
Temperatura de operação:0°C ~ 85°C (TC)
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:2Gb (512M x 4)
Formato de memória:DRAM
Número de peça do fabricante:MT47R512M4EB-25E:C
Interface:Parallel
Descrição:IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
Email:sales@bychips.com

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