NP110N04PUK-E1-AY
Modelo do Produto:
NP110N04PUK-E1-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17038 Pieces
Ficha de dados:
NP110N04PUK-E1-AY.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.8W (Ta), 348W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:NP110N04PUK-E1-AY
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15750pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:297nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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