NP32N055SLE-E1-AY
Modelo do Produto:
NP32N055SLE-E1-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16507 Pieces
Ficha de dados:
NP32N055SLE-E1-AY.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252 (MP-3ZK)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.2W (Ta), 66W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:NP32N055SLE-E1-AY
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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