NTMFS4C10NT1G
NTMFS4C10NT1G
Modelo do Produto:
NTMFS4C10NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13351 Pieces
Ficha de dados:
NTMFS4C10NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.95 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:NTMFS4C10NT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Número de peça do fabricante:NTMFS4C10NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:987pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 8.2A (Ta) 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.2A (Ta)
Email:sales@bychips.com

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