NVMFS6B14NLWFT3G
NVMFS6B14NLWFT3G
Modelo do Produto:
NVMFS6B14NLWFT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Lead free / RoHS non-compliant
Quantidade disponível:
18466 Pieces
Ficha de dados:
NVMFS6B14NLWFT3G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.8W (Ta), 94W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Número de peça do fabricante:NVMFS6B14NLWFT3G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 11A (Ta), 55A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 55A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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