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RN1964FE(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- RN1964FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16802 Pieces
- Ficha de dados:
- RN1964FE(TE85L,F).pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | ES6 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 47k |
| Power - Max: | 100mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | RN1964FE(TE85LF)TR RN1964FETE85LF |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RN1964FE(TE85L,F) |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Descrição: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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