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RN2965(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- RN2965(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12141 Pieces
- Ficha de dados:
- RN2965(TE85L,F).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RN2965(TE85L,F), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RN2965(TE85L,F) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | US6 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes: | RN2965(TE85LF)DKR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RN2965(TE85L,F) |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
| Descrição: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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