RT1A045APTCR
RT1A045APTCR
Modelo do Produto:
RT1A045APTCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17250 Pieces
Ficha de dados:
1.RT1A045APTCR.pdf2.RT1A045APTCR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSST
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):650mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:RT1A045APTCRTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RT1A045APTCR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.5A (Ta)
Email:sales@bychips.com

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