Comprar SI2309CDS-T1-E3 com BYCHPS
Compre com garantia
VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 345 mOhm @ 1.25A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Outros nomes: | SI2309CDS-T1-E3-ND SI2309CDS-T1-E3TR |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
Número de peça do fabricante: | SI2309CDS-T1-E3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 210pF @ 30V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.1nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | P-Channel 60V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
Descrição: | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |