STFI12N60M2
STFI12N60M2
Modelo do Produto:
STFI12N60M2
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12262 Pieces
Ficha de dados:
STFI12N60M2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAKFP (TO-281)
Série:MDmesh™ M2
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):25W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Outros nomes:497-16015-5
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:STFI12N60M2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:538pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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