TK8A60W,S4VX
TK8A60W,S4VX
Modelo do Produto:
TK8A60W,S4VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13940 Pieces
Ficha de dados:
TK8A60W,S4VX.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 400µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:500 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):30W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Outros nomes:TK8A60W,S4VX(M
TK8A60WS4VX
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK8A60W,S4VX
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:sales@bychips.com

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