Comprar TK8A60W,S4VX com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 400µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220SIS |
Série: | DTMOSIV |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 30W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Outros nomes: | TK8A60W,S4VX(M TK8A60WS4VX |
Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
Número de peça do fabricante: | TK8A60W,S4VX |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 570pF @ 300V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | Super Junction |
Descrição expandida: | N-Channel 600V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
Descrição: | MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |