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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPC8014(TE12L,Q,M)
TPC8014(TE12L,Q,M)
Modelo do Produto:
TPC8014(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19530 Pieces
Ficha de dados:
1.TPC8014(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8014(TE12L,Q,M).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP (5.5x6.0)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPC8014(TE12L,Q,M)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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