ZXMP6A17N8TC
ZXMP6A17N8TC
Modelo do Produto:
ZXMP6A17N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19957 Pieces
Ficha de dados:
ZXMP6A17N8TC.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 2.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.56W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:ZXMP6A17N8TCDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:ZXMP6A17N8TC
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:637pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 2.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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