FQP9N08
Modelo do Produto:
FQP9N08
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13641 Pieces
Ficha de dados:
1.FQP9N08.pdf2.FQP9N08.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:210 mOhm @ 4.65A, 10V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQP9N08
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 80V 9.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição:MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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